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NVTFWS004N04CTAG-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高效率功率开关应用设计，具备40V的漏源耐压能力，可稳定运行于中低压电路环境。其70A的连续漏极电流承载能力，配合仅4.2mΩ的超低导通电阻，大幅降低了导通状态下的功率损耗与温升，提升了系统整体能效。栅源电压支持±20V，为驱动设计提供了良好的安全边界。适用于各类高性能DC-DC转换模块、便携式设备的电源管理单元，以及需要精确大电流控制的智能终端产品中，实现紧凑而高效的功率切换。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVTFWS004N04CTAG-HXY
商品编号: C54582774
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.086克(g)

商品参数

NVTFWS004N04CTAG采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。