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STD95N4LF3-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为40V电压平台设计，具备承载80A连续漏极电流的能力。其核心优势在于极低的导通电阻，仅为5.5mΩ，这意味着在大电流传输过程中能有效抑制热量的产生，保持系统的高效运行。器件在20V栅源电压下工作稳定。在电路设计中，它常被用作高功率负载开关，负责精准控制大电流负载的通断。此外，凭借其优异的电流处理能力，该器件也广泛应用于各类大功率电源转换模块，确保电力传输的稳定性与可靠性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STD95N4LF3-HXY
商品编号: C54582768
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4克(g)

商品参数

STD95N4LF3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。