STD95N4F3-HXY

STD95N4F3-HXY

描述

这款N沟道场效应管专为高效功率管理而设计。其40V的漏源击穿电压（VDSS）确保了在常见电压平台下的稳定运行，而5.5mΩ的低导通电阻（RDON）则有效降低了导通损耗，提升了系统整体能效。在80A的持续漏极电流（ID）能力下，它能够从容应对高功率负载的切换需求。±20V的栅源极电压（VGS）范围使其易于与标准驱动电路配合。该器件是构建高性能DC-DC转换器、电机调速模块以及大功率电源开关的理想选择。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD95N4F3-HXY

商品编号

C54582770

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)