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STD95N4F3-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高效功率管理而设计。其40V的漏源击穿电压（VDSS）确保了在常见电压平台下的稳定运行，而5.5mΩ的低导通电阻（RDON）则有效降低了导通损耗，提升了系统整体能效。在80A的持续漏极电流（ID）能力下，它能够从容应对高功率负载的切换需求。±20V的栅源极电压（VGS）范围使其易于与标准驱动电路配合。该器件是构建高性能DC-DC转换器、电机调速模块以及大功率电源开关的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STD95N4F3-HXY
商品编号: C54582770
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.402克(g)

商品参数

STD95N4F3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。