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NTTFS004N04CTAG-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高效功率切换而设计，其40V的漏源极耐压（VDSS）为电路提供了充足的安全裕度。核心优势在于低至4.2mΩ的导通电阻（RDON），这意味着在承载70A的连续漏极电流（ID）时，器件自身的功耗与发热量极低，从而显著提升系统能效。±20V的栅源极电压（VGS）范围确保了与各类驱动电路的良好兼容性。凭借这些特性，该元件非常适合应用于大电流负载开关、DC-DC转换器以及各类需要高效能功率管理的电子设备中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTTFS004N04CTAG-HXY
商品编号: C54582771
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.09克(g)

商品参数

NTTFS004N04CTAG采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。