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IPD75N04S406ATMA1-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管具备40V耐压与80A持续电流处理能力，配合5.5mΩ的低导通电阻，能有效降低电路运行时的功率损耗与热积累。其栅源电压支持±20V范围，为驱动电路设计提供了充裕的安全余量。基于这些特性，该器件非常适合作为高效功率开关，应用于各类电源转换模块、电池供电设备的功率管理，以及需要大电流精确控制的终端产品之中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD75N04S406ATMA1-HXY
商品编号: C54582772
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.402克(g)

商品参数

IPD75N04S406ATMA1采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。