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NVTFS5C460NLTAG-HXY

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描述: 这是一款N沟道增强型场效应管，其40V的漏源极耐压（VDSS）为电路提供了可靠的电压安全裕度。器件的核心优势在于低至4.2mΩ的导通电阻（RDON），这意味着在70A的连续漏极电流（ID）下，其自身功耗与发热量极低，显著提升了整体能效。±20V的栅源极电压（VGS）范围则确保了与各类驱动电路的广泛兼容性。凭借这些特性，该元件非常适合用作大电流负载开关、DC-DC转换器中的主开关，或任何需要高效、低损耗功率切换的电子设备内部。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVTFS5C460NLTAG-HXY
商品编号: C54582769
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.096克(g)

商品参数

NVTFS5C460NLTAG采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。