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NTD3055-094G-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为60V电压平台设计，具备8A的连续漏极电流处理能力。其导通电阻控制在88mΩ，有助于降低通态损耗并提升电路能效。器件支持±20V的栅源电压范围，对驱动电路具有良好的兼容性。凭借N沟道结构特性，它在导通时由漏极向源极传输电流，适用于各类中低压电源转换、负载开关及功率驱动场景，是实现高效电能控制的可靠选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTD3055-094G-HXY
商品编号: C54582760
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4克(g)

商品参数

NTD3055 - 094G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。