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NTDV3055L104T4G-HXY

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描述: 该器件是一款N沟道场效应管，其核心特性在于能够承受60V的漏源击穿电压，并在20V的栅源电压下工作。其导通电阻为88mΩ，能够处理8A的连续漏极电流。基于这些电气特性，它主要适用于中低压环境下的功率管理。在电路设计中，该器件常被用作高效的电子开关，负责控制负载的通断。此外，它也广泛应用于各类电源转换模块中，通过快速切换来实现电压的调节与稳定，确保后端电路获得持续且洁净的电力供应。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTDV3055L104T4G-HXY
商品编号: C54582766
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.404克(g)

商品参数

NTDV3055L104T4G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。