NTDV3055L104T4G-HXY

NTDV3055L104T4G-HXY

描述

该器件是一款N沟道场效应管，其核心特性在于能够承受60V的漏源击穿电压，并在20V的栅源电压下工作。其导通电阻为88mΩ，能够处理8A的连续漏极电流。 基于这些电气特性，它主要适用于中低压环境下的功率管理。在电路设计中，该器件常被用作高效的电子开关，负责控制负载的通断。此外，它也广泛应用于各类电源转换模块中，通过快速切换来实现电压的调节与稳定，确保后端电路获得持续且洁净的电力供应。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTDV3055L104T4G-HXY

商品编号

C54582766

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)