温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPZ40N04S5L4R8ATMA1-HXY

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 这款N沟道场效应管专为高电流密度应用设计，具备40V的漏源击穿电压，最大栅源电压可达20V。其核心优势在于极低的导通电阻，仅为4.2mΩ，这意味着在导通状态下能显著降低功率损耗。该器件能够承载高达70A的连续漏极电流，适合处理大功率负载。在实际应用中，它常被用于大电流开关电源和DC-DC转换器中，利用其低阻抗特性提升整体能效。此外，它也适用于电机驱动电路，能够应对启动和运行时的瞬时大电流冲击，确保系统的稳定运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPZ40N04S5L4R8ATMA1-HXY
商品编号: C54582767
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.097917克(g)

商品参数

IPZ40N04S5L4R8ATMA1采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。