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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AOT1606L

AOT1606L

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描述
这款N沟道场效应管专为高效能电路设计,具备60V的耐压能力,可承载80A的持续电流。其核心优势在于极低的导通电阻,能有效降低能量损耗与发热。 它常被用作大电流负载开关,精准控制如高性能照明、散热模组或各类直流电器的通断。在电池管理系统中,它能作为核心保护开关,确保充放电过程的安全与稳定。此外,其快速的响应特性也使其适用于各类低压开关电源与逆变设备,实现高效的电能转换。
商品型号
AOT1606L
商品编号
C54582764
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.808克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))5.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)120W
阈值电压(Vgs(th))2.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)80.85nC@10V
输入电容(Ciss)3.629nF
反向传输电容(Crss)228pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)280.25pF

商品概述

AOT1606L采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。它可用于多种应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 80A
  • 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 7mΩ

应用领域

  • 高效开关模式电源
  • 功率因数校正
  • 电子灯镇流器

数据手册PDF