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FDB070AN06A0-F085-HXY
FDB070AN06A0-F085-HXY
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- 描述
- 这款N沟道场效应管专为大电流应用场景打造，具备60V的耐压能力，可承载80A的持续电流。其核心优势在于极低的导通电阻，能有效降低能量损耗与发热，确保电路运行的高效与稳定。 它常被用作大电流负载开关，精准控制如高性能照明、散热模组或各类直流电器的通断。在电池管理系统中，它能作为核心保护开关，确保充放电过程的安全与稳定。此外，其快速的响应特性也使其适用于各类低压开关电源与逆变设备，实现高效的电能转换。
- 商品型号
- FDB070AN06A0-F085-HXY
- 商品编号
- C54582765
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.764克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.008nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 242pF |
商品概述
FDB070AN06A0-F085可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 263，符合RoHS标准。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60V，漏极电流(ID) = 90A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时，漏源导通电阻(RDS(ON)) < 7.5mΩ
应用领域
- 开关应用
- 逆变器系统的电源管理
- N沟道MOSFET
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