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IPD90N06S405ATMA1-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高功率密度应用而设计，其核心价值在于将60V的耐压能力与高达120A的连续电流处理能力集于一身。尤为突出的是其仅4.5mΩ的极低导通电阻，这意味着在通过大电流时，器件自身的功耗与发热被控制在极低水平，为系统的高效稳定运行奠定了坚实基础。它非常适合用于大功率DC-DC转换器的同步整流或主开关，尤其是在48V母线电压的系统中，能够轻松应对瞬态的大电流冲击。在高性能电池保护电路中，它可作为主回路开关，低内阻特性有助于减少能量损耗，提升整体续航。此外，它也是驱动高功率电机、伺服系统等负载的理想选择，能够实现对大电流的精准、快速控制。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD90N06S405ATMA1-HXY
商品编号: C54582763
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.406克(g)

商品参数

IPD90N06S405ATMA1可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 252 - 2L，符合RoHS标准。