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IPB80N06S407ATMA1-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计，其核心优势在于极低的导通电阻与高电流承载能力的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻低至5.8mΩ，能有效降低导通损耗与器件温升，确保系统在高负载下的稳定性。它可连续通过80A电流，耐压值为60V，为各类电源设计提供了充足的电压余量。该器件非常适合作为反激、正激等拓扑开关电源的主开关管，尤其适用于48V及以下的中大功率电源模块。在电池管理系统中，它可作为充放电回路的控制开关，凭借其低内阻特性，能显著延长电池续航。同时，它也常用于驱动各类大功率负载，如照明系统、泵阀与散热风扇，实现快速、无火花的电子开关控制。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPB80N06S407ATMA1-HXY
商品编号: C54582762
商品封装: TO-263
包装方式: 编带
商品毛重: 1.76克(g)

商品参数

IPB80N06S407ATMA1可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 263，符合RoHS标准。