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IPD053N06N3GBTMA1-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高功率密度场景设计，在60V耐压规格下实现了120A的超大电流承载能力。其核心优势在于极低的导通电阻（4.5mΩ），能有效抑制大电流下的热损耗。配合20V的栅源电压范围，该器件在响应速度与控制稳定性之间取得了良好平衡。它非常适合应用于各类高效电源转换模块、无刷电机驱动系统以及大功率负载开关电路，能够显著提升系统的整体能效与可靠性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD053N06N3GBTMA1-HXY
商品编号: C54582761
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.406克(g)

商品参数

IPD053N06N3GBTMA1可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 252 - 2L，符合RoHS标准。