RD3L08CBKHRBTL-HXY

RD3L08CBKHRBTL-HXY

描述

这款N沟道场效应管具备60V的漏源击穿电压，最大连续漏极电流可达120A。其核心优势在于极低的导通电阻，在4.5V栅极驱动下仅为4.5mΩ，这意味着在导通状态下功耗极低，能有效减少发热。同时，它支持±20V的栅源电压，为驱动电路设计提供了宽裕的安全余量。 在实际应用中，它常被用作高效的电子开关。例如在高性能电源模块中，它能精准控制大电流的通断，确保电力转换效率；在各类智能设备的电机驱动电路中，它负责快速响应控制信号，为设备提供稳定动力；在储能系统的充放电管理环节，它能承受大电流冲击，保障系统安全运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RD3L08CBKHRBTL-HXY

商品编号

C54582747

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)