温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

RD3L08CBKHRBTL-HXY

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 这款N沟道场效应管具备60V的漏源击穿电压，最大连续漏极电流可达120A。其核心优势在于极低的导通电阻，在4.5V栅极驱动下仅为4.5mΩ，这意味着在导通状态下功耗极低，能有效减少发热。同时，它支持±20V的栅源电压，为驱动电路设计提供了宽裕的安全余量。在实际应用中，它常被用作高效的电子开关。例如在高性能电源模块中，它能精准控制大电流的通断，确保电力转换效率；在各类智能设备的电机驱动电路中，它负责快速响应控制信号，为设备提供稳定动力；在储能系统的充放电管理环节，它能承受大电流冲击，保障系统安全运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RD3L08CBKHRBTL-HXY
商品编号: C54582747
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.408克(g)

商品参数

RD3L08CBKHRBTL可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 252 - 2L，符合RoHS标准。