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STDV3055L104T4G-HXY

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描述: 这是一款N沟道场效应管，其核心特性在于60V的漏源击穿电压与8A的连续漏极电流能力，导通电阻控制在88mΩ。器件栅源极可承受±20V电压，确保了驱动电路设计的灵活性。凭借低导通损耗与快速开关特性，该元件在电源管理领域表现出色，非常适用于DC-DC转换器及各类负载开关应用。在消费电子与物联网设备中，它能高效处理低压供电场景，为精密电路提供稳定的电流控制，是构建高效能电子系统的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STDV3055L104T4G-HXY
商品编号: C54582750
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4克(g)

商品参数

STDV3055L104T4G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。