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2SK4171-HXY
2SK4171-HXY
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- 描述
- 这款N沟道场效应管专为高效能电路设计，具备60V耐压与80A大电流处理能力。其核心优势在于极低的5.8mΩ导通电阻，能有效降低运行功耗与发热，配合±20V的栅极电压耐受范围，提升了电路的稳定性。该器件广泛适用于锂电池储能系统的充放电保护、大功率直流负载开关以及低压逆变电源等场景，能够满足对高可靠性和快速响应有严格要求的复杂应用环境。
- 商品型号
- 2SK4171-HXY
- 商品编号
- C54582755
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.756克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80.85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.629nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 228pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280.25pF |
商品概述
2SK4171采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 80A
- RDS(ON) < 7mΩ（在VGS = 10V时）
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器
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