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NVD3055-094T4G-VF01-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高效电源管理设计，具备60V的漏源击穿电压和8A的连续漏极电流处理能力。其导通电阻低至88mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统整体效率。栅源电压耐受范围可达±20V，确保在复杂驱动环境下的可靠性。该器件凭借优异的开关特性和低热阻表现，广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动模块、LED照明控制及便携式电子设备的负载开关电路中，适合对能效和空间有较高要求的应用场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVD3055-094T4G-VF01-HXY
商品编号: C54582736
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.412克(g)

商品参数

NVD3055 - 094T4G - VF01采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。