NVD3055-094T4G-VF01-HXY

NVD3055-094T4G-VF01-HXY

描述

这款N沟道场效应管专为高效电源管理设计，具备60V的漏源击穿电压和8A的连续漏极电流处理能力。其导通电阻低至88mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统整体效率。栅源电压耐受范围可达±20V，确保在复杂驱动环境下的可靠性。该器件凭借优异的开关特性和低热阻表现，广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动模块、LED照明控制及便携式电子设备的负载开关电路中，适合对能效和空间有较高要求的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVD3055-094T4G-VF01-HXY

商品编号

C54582736

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)