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DMTH6010SCT-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH6010SCT-HXY

DMTH6010SCT-HXY

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描述
这款N沟道场效应管专为高效电能管理设计,其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合。在10V栅极驱动下,仅5.8mΩ的内阻能显著降低通路损耗,配合80A的持续电流处理能力,使其非常适合作为大电流负载开关,直接替代传统机械继电器以消除触点磨损。在电源拓扑中,它常被用于低压侧的DC-DC升降压转换或逆变电路,利用其快速的开关特性提升整体能效。此外,该器件也广泛应用于电池组的充放电保护回路,确保在复杂负载环境下提供稳定的通断控制。
商品型号
DMTH6010SCT-HXY
商品编号
C54582745
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.772克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))5.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)120W
阈值电压(Vgs(th))2.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)80.85nC@10V
输入电容(Ciss)3.629nF
反向传输电容(Crss)228pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)280.25pF

商品概述

DMTH6010SCT采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。它可用于广泛的应用领域。

商品特性

  • VDS = 60V,ID = 80A
  • RDS(ON) < 7mΩ(在VGS = 10V时)

应用领域

  • 高效开关模式电源
  • 功率因数校正
  • 电子灯镇流器

数据手册PDF