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RD3L08BGNTL-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管具备60V的耐压值与120A的大电流处理能力，配合4.5mΩ的低导通电阻，能有效降低电路运行时的热损耗。20V的栅源极电压规格为驱动电路设计提供了充足的余量，确保器件在高频开关状态下依然保持优异的稳定性。凭借其出色的电气特性，该元件常被应用于大功率DC-DC变换器、逆变器及电机调速模块中，能够胜任高负载环境下的电能转换任务，满足对功率密度和效率有严格要求的电子设备设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RD3L08BGNTL-HXY
商品编号: C54582741
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.404克(g)

商品参数

RD3L08BGNTL可用于各种电源开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 252 - 2L，符合RoHS标准。