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NTD15N06LT4G-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管在60V耐压等级下提供了均衡的电气性能，能够承载8A的连续漏极电流，其88mΩ的导通电阻特性使其在中等功率应用中保持了良好的能效表现。20V的栅源极电压规格为驱动电路设计提供了宽裕的安全余量，确保了器件在开关过程中的稳定性与可靠性。该元件常被应用于各类电源管理模块、DC-DC转换器及电机控制电路中，凭借其稳健的参数表现，能够胜任常规功率切换与负载驱动任务，满足通用电子设备对元器件稳定性的基础要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTD15N06LT4G-HXY
商品编号: C54582743
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4克(g)

商品参数

NTD15N06LT4G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。