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RD3L08CBLHRBTL-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高功率密度应用设计，核心参数包括60V耐压值与120A连续漏极电流，配合4.5mΩ的超低导通电阻，显著降低大电流工况下的能量损耗与热积累。20V栅源极电压规格确保了驱动电路的灵活性与器件开关的可靠性。其低导通损耗特性使其尤其适合应用于高效能DC-DC转换器、无刷电机驱动模块及大功率电源管理系统，能够在紧凑空间内实现稳定高效的功率切换与负载控制。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RD3L08CBLHRBTL-HXY
商品编号: C54582742
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.402克(g)

商品参数

RD3L08CBLHRBTL 可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为 TO - 252 - 2L，符合 RoHS 标准。