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BUK966R5-60E-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管凭借60V的耐压规格与80A的强劲电流吞吐能力，构建了稳固的功率处理基础。其核心亮点在于5.8mΩ的极低导通电阻，这一特性显著降低了通路损耗与热积累，使其在持续高负载工况下仍能维持优异的能效表现。在实际应用中，该器件常被部署于大电流负载开关与DC-DC同步整流电路，能够有效应对启动瞬间的电流冲击。无论是便携式储能设备的充放电管理，还是高功率直流电机的驱动控制，它都能提供快速且精准的通断响应。20V的栅源电压范围则为驱动电路设计提供了充裕的安全余量，确保在复杂电磁环境下逻辑控制的稳定性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BUK966R5-60E-HXY
商品编号: C54582739
商品封装: TO-263
包装方式: 编带
商品毛重: 1.7625克(g)

商品参数

BUK966R5 - 60E可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 263，符合RoHS标准。