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DMTH6005LK3Q-13-HXY
DMTH6005LK3Q-13-HXY
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- 描述
- 这款N沟道场效应管专为高功率密度应用设计，具备60V的漏源击穿电压与120A的连续漏极电流承载能力。其导通电阻仅为4.5mΩ，在大电流工况下能有效抑制发热，显著提升能源转换效率。器件支持±20V的栅源电压范围，配合优异的开关特性，能够适应高频PWM调制需求。凭借低损耗与高可靠性的表现，该器件广泛应用于无刷电机驱动、大功率开关电源、电池管理系统及高性能逆变器等对电流处理能力有严苛要求的电路场景。
- 商品型号
- DMTH6005LK3Q-13-HXY
- 商品编号
- C54582737
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.404克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.066nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 283pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 472pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
DMTH6005LK3Q - 13可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高的效率。其封装形式为TO - 252 - 2L，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 120A
- RDS(ON) < 5.9mΩ（在VGS = 10V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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