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RFD3055LESM9A-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管在60V耐压平台下实现了优秀的能效平衡。其88mΩ的导通电阻配合8A的连续漏极电流，能够有效抑制大电流工况下的热损耗，配合20V的栅极驱动能力，确保了开关动作的精准与稳定。它非常适合应用于各类DC-DC转换电路、开关电源及电机驱动模块中。作为主开关管或同步整流管，它能从容应对中压系统的功率切换需求，在保证电路可靠性的同时，显著提升整体能源转换效率。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RFD3055LESM9A-HXY
商品编号: C54582733
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4克(g)

商品参数

RFD3055LESM9A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。