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DMTH6005LK3-13-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为处理大电流任务而设计，其核心优势在于60V的耐压能力与120A的持续电流承载能力。通过先进的芯片工艺，它实现了极低的导通电阻，这意味着在导通状态下，器件自身的能量损耗和发热量被控制在很低的水平，从而提升了整个电路系统的效率。在实际应用中，它非常适合用作电源路径中的高速电子开关。例如，在各类电池组中，它可以精准地控制充放电回路的通断，起到保护作用；在需要稳定供电的设备中，它也能作为关键的负载开关，确保电力按需分配，保障后端电路的稳定运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMTH6005LK3-13-HXY
商品编号: C54582734
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.404克(g)

商品参数

DMTH6005LK3 - 13 可用于各种功率开关电路，实现系统小型化和更高效率。封装形式为 TO - 252 - 2L，符合 RoHS 标准。