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G3F33MT06J-TR-HXY

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至26mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源驱动电压范围为-10V至+25V，具备良好的开关特性与热稳定性。器件结构利用碳化硅材料优势，在高频工作条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: G3F33MT06J-TR-HXY
商品编号: C54582724
商品封装: TO-263-7L
包装方式: 编带
商品毛重: 1.93克(g)

商品参数

参数完善中