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G3F33MT06J-TR-HXY
G3F33MT06J-TR-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至26mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源驱动电压范围为-10V至+25V，具备良好的开关特性与热稳定性。器件结构利用碳化硅材料优势，在高频工作条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。
- 商品型号
- G3F33MT06J-TR-HXY
- 商品编号
- C54582724
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 73A | |
| 耗散功率(Pd) | 181W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ |
商品特性
- 宽带隙碳化硅MOSFET技术
- 高阻断电压下的低导通电阻
- 高速开关下的低电容
- 低反向恢复电荷（Qrr）
- 无卤，符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压直流/直流转换器
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