G3F33MT06J-TR-HXY

G3F33MT06J-TR-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至26mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源驱动电压范围为-10V至+25V，具备良好的开关特性与热稳定性。器件结构利用碳化硅材料优势，在高频工作条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

G3F33MT06J-TR-HXY

商品编号

C54582724

商品封装

TO-263-7L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)