FF06030J-7A-HXY

FF06030J-7A-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的漏极电流额定值，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备低导通损耗与优异的高温工作能力，适用于高效率、高开关频率的电源转换场合，如通信电源、光伏逆变系统及大功率充电设备等，在提升系统整体能效与功率密度方面具有显著优势。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FF06030J-7A-HXY

商品编号

C54582728

商品封装

TO-263-7L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)