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NTD3055-094T4G-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高效电源管理设计，其核心优势在于极低的导通电阻（88mR）。在8A的负载电流下，这一特性显著降低了器件的发热量，从而简化了散热设计并提升了整体能效。60V的耐压值为电路提供了充足的安全裕度，使其能够稳定应对多种中压应用场景。它非常适合应用于各类DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及电机驱动模块中，作为主开关管使用。其电压控制的特性，也便于与各类控制芯片直接对接，实现精准的功率切换与信号放大。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTD3055-094T4G-HXY
商品编号: C54582731
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.398克(g)

商品参数

NTD3055 - 094T4G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。