IPP200N15N3GXKSA1-HXY
IPP200N15N3GXKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管漏极电流达120A，漏源击穿电压150V，导通电阻为11毫欧，栅源电压耐受值20V。器件适用于大功率直流电源、电机驱动及储能系统逆变电路。凭借高电流承载能力与低导通损耗特性，能有效降低大电流工况下的热耗散。其电压与电流规格匹配高性能计算服务器供电及大型电动工具的动力控制需求，在紧凑封装下提供稳定的功率切换性能。
- 商品型号
- IPP200N15N3GXKSA1-HXY
- 商品编号
- C54582730
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.049nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 247pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
IPP200N15N3GXKSA1采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。
商品特性
- VDS = 150V，ID = 120A
- RDS(ON) < 11mΩ（VGS = 10V时）
应用领域
消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离直流同步整流应用
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