IMBG65R030M1HXTMA1-HXY

IMBG65R030M1HXTMA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高频、高效率应用场景中表现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对功率密度和能效要求较高的电力转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频开关电源等。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IMBG65R030M1HXTMA1-HXY

商品编号

C54582727

商品封装

TO-263-7L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)