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IMBG65R030M1HXTMA1-HXY

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高频、高效率应用场景中表现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对功率密度和能效要求较高的电力转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频开关电源等。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IMBG65R030M1HXTMA1-HXY
商品编号: C54582727
商品封装: TO-263-7L
包装方式: 编带
商品毛重: 1.91克(g)

商品参数

参数完善中