SCT3030AW7TL-HXY
SCT3030AW7TL-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通损耗与开关损耗，同时具有良好的热导性能和稳定性。适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，可在严苛电气环境下维持可靠运行。
- 商品型号
- SCT3030AW7TL-HXY
- 商品编号
- C54582725
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中