IXSA110N65L2-7TR-HXY
IXSA110N65L2-7TR-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关应用中显著降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。适用于高效率电源、光伏逆变器、不间断电源及高频电力转换设备等场景，可在高电压、大电流条件下维持稳定运行。
- 商品型号
- IXSA110N65L2-7TR-HXY
- 商品编号
- C54582721
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中