C3M0025065J1-TR-HXY

C3M0025065J1-TR-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为73A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻典型值为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频开关性能和较低的导通损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子装置等场景，在提升系统整体能效的同时有助于减小散热设计负担。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

C3M0025065J1-TR-HXY

商品编号

C54582722

商品封装

TO-263-7L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)