SI4461DY-T1-GE3-HXY
SI4461DY-T1-GE3-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款P沟道场效应管额定漏极电流为15A，漏源击穿电压30V，导通电阻仅7.5毫欧，栅源电压耐受值达20V。低导通电阻特性显著降低了功率损耗与发热。该器件主要应用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块，在便携式设备和消费类电子产品中执行高效的功率切换任务，有助于优化系统整体能效并适应紧凑的电路板布局需求。
- 商品型号
- SI4461DY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C54582717
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- NTD3055-094T4G-HXY
- STD130N6F7-HXY
- RFD3055LESM9A-HXY
- STD12NF06T4-HXY
- NVD3055-094T4G-VF01-HXY
- BUK966R5-60E-HXY
- IPD90N06S405ATMA2-HXY
- RD3L08BGNTL-HXY
- RD3L08CBLHRBTL-HXY
- NTD15N06LT4G-HXY
- FS70UMJ-06F-HXY
- DMTH6010SCT-HXY
- DMT6010SCT-HXY
- RD3L08CBKHRBTL-HXY
- AOT2606L
- AOB2606L
- STDV3055L104T4G-HXY
- 2SK4171-HXY
- HUF76445P3-HXY
- HUFA76445S3ST-HXY
- IPB070N06NG-HXY