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SI4461DY-T1-GE3-HXY

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描述: 这款P沟道场效应管额定漏极电流为15A，漏源击穿电压30V，导通电阻仅7.5毫欧，栅源电压耐受值达20V。低导通电阻特性显著降低了功率损耗与发热。该器件主要应用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块，在便携式设备和消费类电子产品中执行高效的功率切换任务，有助于优化系统整体能效并适应紧凑的电路板布局需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI4461DY-T1-GE3-HXY
商品编号: C54582717
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.142克(g)

商品参数

SI4461DY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。