IMBG65R020M2HXTMA1-HXY

IMBG65R020M2HXTMA1-HXY

描述

该碳化硅场效应管为N沟道结构，具备73A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件凭借碳化硅材料特性，在高频、高效率电力转换场景中展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对功率密度和能效要求较高的电源系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的功率管理模块。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IMBG65R020M2HXTMA1-HXY

商品编号

C54582718

商品封装

TO-263-7L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)