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IMBG65R020M2HXTMA1-HXY
IMBG65R020M2HXTMA1-HXY
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，具备73A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件凭借碳化硅材料特性，在高频、高效率电力转换场景中展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对功率密度和能效要求较高的电源系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的功率管理模块。
- 商品型号
- IMBG65R020M2HXTMA1-HXY
- 商品编号
- C54582718
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.24克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 宽带隙碳化硅MOSFET技术
- 高阻断电压下的低导通电阻
- 高速开关下的低电容
- 低反向恢复电荷（Qrr）
- 无卤，符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压直流/直流转换器
- IMBG65R026M2HXTMA1-HXY
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