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IMBG65R033M2HXTMA1-HXY
IMBG65R033M2HXTMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的优异特性，器件在高频、高压工作条件下展现出更低的开关损耗与更高的效率。适用于对能效和功率密度要求较高的电源转换、可再生能源系统及高频率电力电子装置，能够在严苛电气环境中保持稳定可靠的性能表现。
- 商品型号
- IMBG65R033M2HXTMA1-HXY
- 商品编号
- C54582720
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.944444克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 73A | |
| 耗散功率(Pd) | 181W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ |
商品特性
- 宽带隙碳化硅MOSFET技术
- 低导通电阻与高阻断电压
- 低电容与高速开关
- 低反向恢复电荷（Qrr）
- 无卤，符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压直流/直流转换器
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