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IMBG65R026M2HXTMA1-HXY
IMBG65R026M2HXTMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、73A的连续漏极电流（ID）和26mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源驱动电压范围为-10V至+25V。其低导通电阻与高耐压特性结合碳化硅材料的高频优势，可在高效率电源转换、数据中心供电系统、光伏逆变器及高密度电力电子设备中实现优异的开关性能与热管理表现。
- 商品型号
- IMBG65R026M2HXTMA1-HXY
- 商品编号
- C54582719
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 73A | |
| 耗散功率(Pd) | 181W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ |
商品特性
- 宽带隙碳化硅MOSFET技术
- 低导通电阻与高阻断电压
- 低电容与高速开关
- 低反向恢复（Qrr）
- 无卤，符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压直流/直流转换器
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