IMBG65R026M2HXTMA1-HXY

IMBG65R026M2HXTMA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、73A的连续漏极电流（ID）和26mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源驱动电压范围为-10V至+25V。其低导通电阻与高耐压特性结合碳化硅材料的高频优势，可在高效率电源转换、数据中心供电系统、光伏逆变器及高密度电力电子设备中实现优异的开关性能与热管理表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IMBG65R026M2HXTMA1-HXY

商品编号

C54582719

商品封装

TO-263-7L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)