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NVD6416ANT4G-VF01-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）额定漏源电压为100V，支持20A连续漏极电流。其导通电阻典型值为80毫欧，有助于降低导通损耗并提升能效。凭借低内阻特性，该器件适用于开关电源、电机驱动及电池管理系统的功率开关级，能够在高电流场景下实现稳定的电能控制与传输，满足各类电子设备对高效功率转换的需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVD6416ANT4G-VF01-HXY
商品编号: C54582713
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.396克(g)

商品参数

NVD6416ANT4G-VF01采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。