NVD6416ANT4G-VF01-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）额定漏源电压为100V，支持20A连续漏极电流。其导通电阻典型值为80毫欧，有助于降低导通损耗并提升能效。凭借低内阻特性，该器件适用于开关电源、电机驱动及电池管理系统的功率开关级，能够在高电流场景下实现稳定的电能控制与传输，满足各类电子设备对高效功率转换的需求。
- 商品型号
- NVD6416ANT4G-VF01-HXY
- 商品编号
- C54582713
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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