SI4483ADY-T1-GE3-HXY
SI4483ADY-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管最大漏极电流为15A，漏源击穿电压30V，导通电阻典型值7.5毫欧，栅源电压耐受范围达±20V。器件采用低阻抗设计，适用于低压大电流开关场景，如电池保护电路、负载切换模块及便携式设备电源管理。其参数匹配中等功率需求，在有限空间内实现高效电能控制，适合对导通损耗敏感的直流配电架构。
- 商品型号
- SI4483ADY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C54582714
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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