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HUFA75617D3ST-HXY

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描述: 该N沟道场效应管具备20安培连续漏极电流与100伏漏源击穿电压，导通电阻为80毫欧。低导通损耗特性使其在大电流开关应用中表现优异，适用于高性能直流电源转换、电池管理模块及电机驱动电路。器件能在高负载条件下保持高效能量传输，同时简化散热设计，满足对功率密度和热稳定性有严格要求的电子设备需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HUFA75617D3ST-HXY
商品编号: C54582711
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.392克(g)

商品参数

HUFA75617D3ST采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。