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ZXMN10A09KTC-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为20A，漏源击穿电压达100V，导通电阻为80毫欧。其参数特性使其适用于中高压功率开关场景，常见于各类电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统的负载控制环节。在直流斩波器或逆变器设计中，该器件能够承担稳定的电流传输与电压阻断任务，协助实现高效的电能变换与信号逻辑切换功能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: ZXMN10A09KTC-HXY
商品编号: C54582709
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.402克(g)

商品参数

ZXMN10A09KTC采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。