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FDP13AN06A0-SW82126-HXY
FDP13AN06A0-SW82126-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流为60A，漏源击穿电压达60V，导通电阻低至11毫欧，栅源电压耐受范围为20V。凭借低导通损耗与高电流承载能力，适用于大电流开关电源、电机驱动模块及电池管理系统中的功率切换环节，能有效提升电路转换效率并降低热管理压力。
- 商品型号
- FDP13AN06A0-SW82126-HXY
- 商品编号
- C54582708
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.968克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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