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FDP13AN06A0-SW82126-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为60A，漏源击穿电压达60V，导通电阻低至11毫欧，栅源电压耐受范围为20V。凭借低导通损耗与高电流承载能力，适用于大电流开关电源、电机驱动模块及电池管理系统中的功率切换环节，能有效提升电路转换效率并降低热管理压力。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDP13AN06A0-SW82126-HXY
商品编号: C54582708
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 2.968克(g)

商品参数

FDP13AN06A0 - SW82126采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。