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BUK9515-60E-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为60安培，漏源击穿电压60伏，最大栅源电压20伏。其导通电阻典型值为11毫欧，低阻抗特性有助于减少导通状态下的功率损耗。此器件适用于大电流直流电源模块、电动工具驱动电路及储能系统功率级，能在高频开关条件下实现高效电能转换，并简化散热结构设计。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BUK9515-60E-HXY
商品编号: C54582707
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 2.772克(g)

商品参数

BUK9515 - 60E采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。