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NTP5864NG-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管具备60安培的连续漏极电流承载能力，漏源击穿电压为60伏。其导通电阻低至11毫欧，在通过大电流时显著降低功率损耗，栅源电压耐受范围达20伏。该器件适用于高电流密度的直流电源转换、无刷电机驱动控制以及电池组保护电路，能够在高频开关环境下提供稳定的功率传输性能，优化系统的热管理设计。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTP5864NG-HXY
商品编号: C54582706
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 2.74克(g)

商品参数

NTP5864NG采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。