FDS6672A
30V N沟道MOSFET,电流:12.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6672A
- 商品编号
- C3289829
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品概述
EPC Space FSMD-B系列增强型氮化镓（eGaN®）功率开关高电子迁移率晶体管（HEMT）专为高可靠性或商业卫星太空环境中的关键应用而设计。这些器件具有极高的电子迁移率和低温度系数，从而使漏源导通电阻（RDS(on)）值极低。芯片的横向结构实现了极低的栅极电荷（QG）和极快的开关时间。这些特性能够实现更快的电源开关频率，从而提高功率密度、提升效率并实现更紧凑的封装。
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 超低栅极电荷（QG），实现高效率
- 逻辑电平
- 重量轻 - 0.135克
- 新型紧凑密封封装
- 额定抗辐射300 krad
- 在漏源电压（VDS）高达额定击穿电压的100%时，对线性能量转移（LET）为83.7 MeV/mg/cm²的单粒子效应免疫
- 低剂量率为100 mRad/秒
- 保持辐照前的规格
- 在高达1 × 10^15个中子/cm²的辐照下保持辐照前的规格
应用领域
-卫星和电子设备-深空探测器-高速抗辐射DC-DC转换-抗辐射电机控制器