FDS6672A
30V N沟道MOSFET,电流:12.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6672A
- 商品编号
- C3289829
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品概述
EPC Space FSMD-B系列增强型氮化镓（eGaN®）功率开关高电子迁移率晶体管（HEMT）专为高可靠性或商业卫星太空环境中的关键应用而设计。这些器件具有极高的电子迁移率和低温度系数，从而使漏源导通电阻（RDS(on)）值极低。芯片的横向结构实现了极低的栅极电荷（QG）和极快的开关时间。这些特性能够实现更快的电源开关频率，从而提高功率密度、提升效率并实现更紧凑的封装。
商品特性
- RDS(ON) = 9.5 mΩ(VGS = 4.5 V 时)
- 12.5 A、30 V。RDS(ON) = 8 mΩ(VGS = 10 V 时)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 低栅极电荷(典型值33 nC)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器