FDS6572A
N沟道,电流:16A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6572A
- 商品编号
- C3289828
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.914nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 797pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDS6299S旨在取代同步DC-DC电源中的单个SO-8 MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。FDS6299S采用了MOSFET与肖特基二极管单片集成的专利组合。
商品特性
- 21 A、30 V。栅源电压（VGS）= 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 3.9 mΩ
- 栅源电压（VGS）= 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 5.1 mΩ
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和快速开关
- 高功率和电流处理能力
- 100%进行栅极电阻（RG）测试
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器的同步整流器-笔记本电脑Vcore低端开关-负载点低端开关