FDS3670
100V N沟道 MOSFET,电流:6.3A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS3670
- 商品编号
- C3289825
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 265pF |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 该器件非常适合需要低在线功耗和快速开关的低压和电池供电应用。
商品特性
- 12.5 A、30 V。VGS = 10 V时，RDS(ON) = 0.009 Ω
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 0.013 Ω
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- 电池开关-负载开关-电机控制