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DMTH6009LPS-13
N沟道MOSFET,电流:89.5A,耐压:60V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6009LPS-13
- 商品编号
- C3289402
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 89.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 10V@20A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.925nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 438pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON)，确保导通损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO-8封装33%的电路板面积，使终端产品体积更小
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
应用领域
-电机控制-DC-DC转换器-电源管理