SI7913DN-T1-E3
2个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7913DN-T1-E3
- 商品编号
- C3289421
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：
- 高频开关
- 同步整流
- 直流-直流转换器
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽式场效应功率 MOSFET
- 新型低热阻 PowerPAK 封装
应用领域
- 便携式设备
- 功率放大器开关
- 电池开关
- 负载开关
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